Resumen

Se prepararon películas de óxido de estaño SnO2 mediante pulverización catódica por magnetrón de RF. Se han investigado los efectos del porcentaje de presión parcial de oxígeno en las propiedades del SnO2 para obtener películas de SnO2 de relativamente alta resistividad que podrían utilizarse como capas tampón para optimizar el rendimiento de las células solares de CdTe/CdS. El porcentaje de presión parcial de oxígeno varió en el rango de 1%~10%. Los resultados muestran que la introducción de oxígeno suprimiría la deposición y el crecimiento de las películas de SnO2. Las mediciones eléctricas indican que la resistividad de la película disminuye con el aumento de la presión de oxígeno. Las películas de SnO2 con resistividad de 232 Ω cm se obtuvieron en atmósfera de Ar puro. Todas las películas de SnO2 fabricadas con diferentes porcentajes de presión parcial de oxígeno tienen casi la misma separación de banda óptica.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:porcentaje de presión parcial, películas sno2, oxígeno, películas sno2 de óxido de estaño, misma separación de banda óptica, atmósfera de ar puro, películas sno2 de resistividad, medición eléctrica, magnetrón rf, propiedad sno2
• Keywords:partial pressure percentage, sno2 films, oxygen, tin oxide sno2 films, same optical band gap, pure ar atmosphere, resistivity sno2 films, electrical measurement, rf magnetron, sno2 property