Resumen

En el marco de la tercera generación de dispositivos fotovoltaicos, la célula solar de banda intermedia es uno de los posibles candidatos para alcanzar mayores eficiencias con un menor coste de procesado. En este trabajo, introducimos un novedoso método de procesado basado en una doble implantación iónica y, posteriormente, un proceso de fusión por láser pulsado (PLM) para obtener capas más gruesas de Si sobresaturado con Ti. Realizamos cálculos teóricos ab initio del Si impurificado con Ti mostrando que el Ti en el Si es un buen candidato para formar teóricamente un material de banda intermedia en el Si supersaturado con Ti. A partir de medidas de espectroscopia de masas de iones secundarios de tiempo de vuelo, confirmamos que hemos obtenido una capa de Ti implantada y PLM más gruesa de 135 nm. La microscopía electrónica de transmisión revela una estructura monocristalina, mientras que la caracterización eléctrica confirma las propiedades de transporte de una unión material de banda intermedia/sustrato de Si. Se ha medido una elevada absorción subbandgap, obteniéndose un valor aproximado de 104 cm-1 en el rango de energía de los fotones de 1,1 a 0,6 eV.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:material de banda intermedia, si sobresaturado, mediciones de espectroscopia de masas de iones secundarios, alta absorción subbandgap, microscopía electrónica de transmisión, doble implantación iónica, menor coste de procesado, novedoso método de procesado, rango de energía de los fotones, fusión por láser pulsado
• Keywords:intermediate band material, supersaturated si, secondary ion mass spectroscopy measurements, high subbandgap absorption, transmission electron microscopy, double ion implantation, lower processing cost, novel processing method, photons energy range, pulsed laser melting