Se fabricaron células solares de Cu(In,Ga)Se2 mediante un proceso híbrido de cosputtering/evaporación y se alcanzaron eficiencias de hasta el 12,4%. Las películas se caracterizaron por espectroscopia de dispersión de energía de rayos X, difracción de rayos X de incidencia directa, microscopia electrónica de barrido, espectroscopia electrónica de barrena y espectroscopia de transmitancia y reflectancia, y sus propiedades se compararon con las de las películas depositadas por coevaporación. Aunque las películas eran relativamente similares, las depositadas por el proceso híbrido tienden a tener granos más pequeños con una orientación ligeramente preferente a lo largo del eje (112) y una superficie más rugosa. Ambos tipos de películas tienen una composición uniforme en profundidad. La caracterización de estas películas mediante elipsometría espectroscópica de ángulo de incidencia variable permitió calcular la posición de los puntos críticos, mediante el cálculo de la segunda derivada de la función dieléctrica y el ajuste con osciladores de banda parabólicos de los puntos críticos. A continuación, las células solares se caracterizaron mediante mediciones de corriente-voltaje y eficiencia cuántica. Un análisis de los parámetros del diodo indica que las células están limitadas principalmente por un bajo factor de llenado, asociado sobre todo a un alto factor de calidad del diodo (A-1,8) y una alta resistencia en serie (Rs~1,1 Ω-cm2) .
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