Resumen

Se han depositado películas policristalinas de BiFeO3 por pulverización catódica a temperatura ambiente y posteriormente se han tratado térmicamente ex situ a temperaturas entre 400 y 700°C. La deposición se realizó en una atmósfera de Ar puro, ya que el uso de una mezcla de oxígeno y argón dio lugar a películas no estequiométricas debido a los efectos del resputtering. A una distancia del blanco al sustrato d=2′′ se puede obtener la estructura de BiFeO3 en presiones de gas de proceso de mayor rango (2-7 mTorr) pero las películas no muestran una textura específica. A d=6′′ se ha utilizado la codeposición de BiFeO3 y Bi2O3. Las películas pulverizadas a baja velocidad tienden a crecer con la textura (001) de la estructura pseudocúbica de BiFeO3. Como la estructura de la película no depende de la epitaxia, se obtienen resultados similares en diferentes sustratos. Como consecuencia de la volatilidad del Bi, se producen fases de óxido ricas en Bi tras el tratamiento térmico a altas temperaturas. En el lado del sustrato se forma una fase de impurezas Bi2SiO5 que no afecta a las propiedades de la fase principal. A pesar de la deposición sobre un sustrato de óxido de silicio amorfo, se han observado fenómenos de ferromagnetismo débil y bucles desplazados a bajas temperaturas, lo que demuestra que su origen no es la deformación. El dopaje de Ba, La, Ca y Sr suprime la formación de fases de impureza y las corrientes de fuga.

• Materias:Corrosión del acero Aceites y grasas Polimeros Acero Acero inoxidable Descarga eléctrica microfluidos
• Subjects:Corrosion of steel Oils and fats Polymers Steel Stainless steel Electric shock microfluids
• Palabras claves:resultados similares de epitaxia, uso de oxígeno, volatilidad del bi, película policristalina de bifeo3, estructura cúbica de bifeo3, proceso de mayor alcance, fase de impureza bi2sio5, sustrato de óxido de silicio, fenómeno de ferromagnetismo débil, presión del gas de proceso
• Keywords:epitaxy similar results, use of oxygen, volatility of bi, polycrystalline bifeo3 film, cubic bifeo3 structure, larger range process, bi2sio5 impurity phase, silicon oxide substrate, weak ferromagnetism phenomenon, process gas pressure