Resumen

Empleando  un  esquema  de  cálculo  tight-binding  que  usa  una  base  de  orbitales sp3s*d5,  se estudian propiedades de la estructura electrónica de un grupo de materiales semiconductores III-V los cuales son de interés para la tecnología de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. En específico,  se  analiza  la  influencia  sobre  estas  propiedades  de  una  tensión  aplicada  según  la dirección cristalográfica [111],  haciendo uso de una formulación presentada en la primera parte del  trabajo  [Mora-Ramos  2009].  Especial  atención  se  presta  a  la  inclusión  del  efecto  de deformación  interna  de  la  red  cristalina.  Para  cada  material  de  los  estudiados  presentamos  las dependencias de las brechas energéticas asociadas a los puntos Γ, X y L de la zona de Brillouin como  funciones  de  la  tensión  uniaxial  en  AlP,  InP,  AlSb,  GaSb,  InSb.   Asimismo,  reportamos expresiones  de  ajuste  para  los  valores  de  las  principales  brechas  energéticas  en  esos  cinco materiales.  Se  detecta  una  fuerte  dependencia  no  lineal  de  estas  magnitudes,así  como  de  las masas efectivas de conducción,con la tensión.

• Materias:Tensión eléctrica Estructura electrónica de bandas Estructura Electrónica Electricidad
• Subjects:Electrical voltage Electronic belt structure electronic structure Electricity
• Palabras claves:tight-binding, materiales III-V, estructura electrónica, tensión uniaxial
• Keywords:tight-binding, III-V materials, electronic structure, uniaxialstrain