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Optical Properties of Indium Doeped ZnO NanowiresPropiedades ópticas de nanocables de ZnO impregnados de indio

Resumen

Se presenta la síntesis de nanocables (NWs) de ZnO con diferentes concentraciones de indio mediante el método de evaporación térmica. Las nanopartículas de oro se utilizaron como catalizador y se dispersaron en la oblea de silicio para facilitar el crecimiento de los NWs de ZnO. La microscopía electrónica de transmisión de alta resolución confirma que el crecimiento de los NWs de ZnO se basó en el mecanismo vapor-líquido-sólido y el espectro de dispersión de energía detecta los porcentajes atómicos de indio en los NWs de ZnO. La microscopía electrónica de barrido muestra que los diámetros de los NWs de ZnO puros oscilan entre 20 y 30 nm y que los diámetros de ZnO:In aumentaron hasta 50-80 nm con el incremento del nivel de dopaje de indio. Los resultados de difracción de rayos X señalan que la calidad cristalina de los NWs de ZnO empeoró con el dopaje de una mayor concentración de indio. El estudio de fotoluminiscencia (PL) de los NWs de ZnO mostró una fotoemisión principal a 380 nm debida a la recombinación de excitones en el borde cercano a la banda (NBE). Además, los resultados de PL también indican que el ligero desplazamiento hacia el azul y la disminución de la intensidad de PL de la emisión NBE de los NWs de ZnO con mayores concentraciones de indio podrían atribuirse a más generaciones de centros trampa inducidas por donantes.

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