Se introdujeron simultáneamente potencia DC y potencia RF en el sistema de sputtering controlado magnéticamente para depositar las películas AZO con el fin de obtener una tasa de deposición aceptable con una película delgada conductora de alta calidad. La resistividad disminuye con la potencia de RF para las muestras depositadas. Se obtiene una resistividad de 6 × 10-4 Ω-cm y de 3,5-4,5 × 10-4 Ω-cm para la muestra tal como se ha depositado y para todas las muestras recocidas, respectivamente. La transmitancia de las películas AZO con mayor temperatura del sustrato es generalmente superior a 80 o la longitud de onda de la luz incidente dentro de 400-800 nm. La transmitancia de las muestras depositadas revela un claro fenómeno de desplazamiento hacia el azul. Las películas AZO presentan una preferencia orientada (002) como se puede ver en las curvas de difracción de rayos X. Todas las películas AZO revelan una tensión de compresión. El proceso de recocido mejora la propiedad eléctrica de las películas AZO. Se ha encontrado un fenómeno de desplazamiento azul significativo, que puede tener una gran aplicación para el electrodo en la célula solar.
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