Resumen

Hemos preparado un electrodo posterior de Ag mediante la técnica de serigrafía y hemos desarrollado un reflector posterior de MOCVD ZnO/ Ag serigrafiado para la aplicación de células solares flexibles de silicio de película fina. Una discontinuidad y una interfaz de contacto deficiente entre las capas de ZnO MOCVD y Ag serigrafiada provocaron una tensión de circuito abierto ( V oc ) deficiente y un factor de llenado (FF) bajo; sin embargo, la inserción de una fina capa de ZnO pulverizada en la interfaz podría resolver este problema. La película de silicio amorfo hidrogenado de tipo n (a-Si:H) es preferible para la deposición en la superficie de la película de ZnO MOCVD que la película microcristalina debido a su menor sensibilidad a la textura de la superficie, lo que permitió mejorar el FF. La célula solar de silicio amorfo flexible n-i-p utilizando el reflector trasero de Ag serigrafiado/de ZnO MOCVD mostró una eficiencia inicial del 6,2% con V oc = 0,86 V, J sc = 12,4 mA/cm2, y FF = 0,58 (1 cm2). La idéntica eficiencia cuántica y el rendimiento comparable a las células que utilizan el electrodo posterior de Ag pulverizado convencional han verificado el potencial del reflector posterior de ZnO/ Ag serigrafiado por MOCVD y la posible oportunidad de utilizar la película gruesa de Ag serigrafiada para células solares flexibles de silicio de película fina.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:mocvd zno, silicio flexible de película fina, pantalla, reflector, v oc, tensión de circuito abierto deficiente, película mocvd zno, silicio amorfo flexible, idéntica eficiencia cuántica, bajo factor de llenado
• Keywords:mocvd zno, flexible thin film silicon, screen, reflector, v oc, poor open circuit voltage, mocvd zno film, flexible amorphous silicon, identical quantum efficiency, low fill factor