Resumen

El umbral de dao inducido por lser es la principal limitacin de la ptica de slice fundida en aplicaciones lser de alta potencia. La existencia de diversos defectos cerca de la superficie es el factor clave para la degradacin del umbral. En este trabajo, se registran los espectros de fotoluminiscencia en diferentes regiones de las muestras de slice fundida daadas y recuperadas para analizar la correlacin entre la fotoluminiscencia de los defectos superficiales y el umbral de dao inducido por lser. Los datos experimentales concluyeron la correlacin inversamente proporcional entre la fluorescencia y el valor del umbral de dao inducido por lser. La dbil fotoluminiscencia es la garanta del elevado umbral de dao inducido por lser, y entonces la mayor concentracin local de nanoclusters de Si se corresponde con el mayor valor del umbral de dao inducido por lser para la ptica de slice fundida despus del tratamiento con lser de CO. La investigacin revela que la medicin de fotoluminiscencia puede emplearse para comprobar la calidad de la slice fundida prstina y evaluar la tendencia del valor del umbral de dao inducido por lser. Los resultados actuales son tiles para comprender la evolucin de la interaccin del tratamiento con lser de CO y la ptica de slice fundida, y pueden servir de gua para la tecnologa de procesos con el fin de obtener pticas de slice fundida de alta calidad.

• Materias:Química
• Subjects:Chemistry
• Palabras claves:Umbral de daño inducido por láser; Espectros de fotoluminiscencia; Defectos superficiales; Fluorescencia; Concentración de nanoclusters de Si; Tratamiento con láser de CO
• Keywords:Laser-induced damage threshold; Photoluminescence spectra; Surface defects; Fluorescence; Si nanocluster concentration; CO laser treatment