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Performance of InGaN Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates with Modified Top-Tip Cone ShapesRendimiento de los diodos emisores de luz de InGaN fabricados sobre sustratos de zafiro estampados con formas cónicas de punta superior modificadas

Resumen

Se fabricaron diodos emisores de luz (LED) de InGaN sobre sustratos de zafiro con forma cónica (PSS) mediante deposición química en fase vapor metalorgánica a baja presión. Para mejorar la calidad cristalina de la epilámina de GaN y el rendimiento optoelectrónico del dispositivo LED, se modificaron las formas cónicas de la punta superior de los PSS mediante grabado húmedo. Mediante el tratamiento de grabado húmedo, se pueden eliminar algunos daños inducidos por el grabado en seco en la superficie del sustrato formado en el proceso de fabricación de los PSS para conseguir una alta calidad de la epilámina. En comparación con los LED preparados sobre el sustrato de zafiro convencional (CSS) y el PSS de forma cónica sin grabado húmedo, el LED cultivado sobre el PSS de forma cónica mediante el grabado húmedo durante 3 min mostró una mejora del 55 y 10% en la potencia de salida de luz (a 350 mA), respectivamente. Esto implica que la modificación de los PSS cónicos posee un gran potencial para aplicaciones LED.

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  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
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Información del documento

  • Titulo:Performance of InGaN Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Sapphire Substrates with Modified Top-Tip Cone Shapes
  • Autor:Hsu-Hung, Hsueh; Sin-Liang, Ou; Chiao-Yang, Cheng; Dong-Sing, Wuu; Ray-Hua, Horng
  • Tipo:Artículo
  • Año:2014
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
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