Resumen

En este trabajo se fabricó un sensor de gas resistivo de bajo coste basado en grafeno crecido por CVD y se estudió su sensibilidad en función de la densidad de defectos. El grafeno CVD se transfirió utilizando poliuretano como capa de sacrificio con baja contaminación y resultados libres de defectos. Se utilizó un sistema de grabado por plasma atmosférico para inducir defectos de forma homogénea en la zona activa del sensor, como se investigó mediante espectroscopia Raman. Las propiedades de detección del dispositivo mejoraron significativamente con una mayor densidad de defectos tanto para NH3 como para NO2. Los sensores modificados se sometieron a diferentes concentraciones de ambos gases diana para evaluar los límites de detección y el comportamiento general. Se observó que los dispositivos de grafeno CVD defectuoso poseen una sensibilidad de hasta ppm con una dependencia lineal en el rango de valores medidos. Los sensores fabricados apenas presentaron degradación de la señal tras meses de exposición atmosférica.

• Materias:Biotecnología Sensores Sistema de sensores Tecnología de sensores
• Subjects:Biotechnology sensors Sensor system Sensor technology
• Palabras claves:dispositivos de grafeno cvd defectuosos, mayor densidad de defectos, sensor de gas resistivo, sensibilidad, grafeno cvd, espectroscopia raman, área activa, exposición atmosférica, plasma atmosférico, densidad de defectos
• Keywords:defective cvd graphene devices, greater defect density, resistive gas sensor, sensitivity, cvd graphene, raman spectroscopy, active area, atmospheric exposure, atmospheric plasma, defect density