Resumen

Se resolvió el conflicto entre los dos modelos existentes, para proporcionar una explicación clara de la inesperada "selectividad" encontrada en los sensores de gas metal-óxido-semiconductor (MOS) activados por luz UV durante la detección de agentes reductores. Se construyó un nuevo modelo basado en el equilibrio dinámico de la concentración de oxígeno adsorbido mediante dos tipos de respuestas: ( 1 ) cuando la superficie MOS está adsorbida con oxígeno, la conductancia del sensor aumenta al inyectar agentes reductores (RA) (tipo α) y ( 2 ) cuando la superficie MOS no está cubierta por oxígeno, la conductancia disminuye al inyectar RA (tipo β). El modelo propuesto se verificó mediante los experimentos de sensores de gas MOS basados en ZnO, para revelar el origen de la inesperada "selectividad" encontrada por la intensidad óptima, donde la caída de corriente, debida a la reacción entre RA y MOS, que aumenta con la potencia UV y se nivela con la recíproca corriente de fondo, que disminuye con la potencia UV.

• Materias:Biotecnología Nanotecnología Redes de sensores Sistema de sensores Tecnología de sensores
• Subjects:Biotechnology Nanotechnology Sensor networks Sensor system Sensor technology
• Palabras claves:superficie mos, potencia uv, sensores de gas mos, concentración de oxígeno adsorbido, corriente de fondo recíproca, mos, agentes, conductancia, inyección, oxígeno
• Keywords:mos surface, uv power, mos gas sensors, adsorbed oxygen concentration, reciprocal background current, mos, agents, conductance, injection, oxygen