Resumen

Se fabrican dispositivos resonadores acústicos bimodales de película delgada (TFBAR) con películas de AlN inclinadas en el eje c. Para fabricar dispositivos TFBAR de modo dual, se adopta el método de sputtering de magnetrón RF fuera del eje para el crecimiento de películas delgadas piezoeléctricas inclinadas de AlN. En esta memoria, las películas delgadas de AlN se depositan con ángulos de inclinación de 15° y 23°. Se mide la respuesta en frecuencia del dispositivo TFBAR con película delgada de AlN inclinada 23° para revelar su capacidad de proporcionar resonancia de modo dual. Las sensibilidades de los modos longitudinal y de cizalla a la carga de masa se calculan en 2295 Hz cm2/ng y 1363 Hz cm2/ng con factores de calidad mecánica de 480 y 287, respectivamente. Las sensibilidades de los modos longitudinal y de cizalla se calculan en 0 y 15 Hz cm2/μg para la carga líquida.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:cm2, modos de cizalladura, película delgada, películas delgadas, magnetrón rf de eje, resonador acústico a granel, factores de calidad mecánica, dispositivos tfbar de modo, aln piezoeléctrico inclinado, aln
• Keywords:cm2, shear modes, thin film, thin films, axis rf magnetron, bulk acoustic resonator, mechanical quality factors, mode tfbar devices, tilted piezoelectric aln, aln