Resumen

Se ha fabricado un fotodetector (PD) ultravioleta de banda estrecha y ciego a la luz ultravioleta, utilizando una película de Mg0,52Zn0,48O que se forma sobre un sustrato de cuarzo mediante una técnica de sputtering por radiofrecuencia utilizando un blanco compuesto de ZnO-Mg. El contenido de Mg en la película se controla variando el número de chips de Mg en la placa de ZnO. La DP fabricada tiene una estructura metal-semiconductor-metal con electrodos interdigitados y presenta un estrecho ancho de banda de 3 dB de 26 nm con una longitud de onda de respuesta máxima de 340 nm y una longitud de onda de corte de 353 nm. Además, el pico de respuesta de la DP aumenta linealmente con la tensión de polarización hasta 30 V, lo que indica que el dispositivo funciona mediante un mecanismo de ganancia fotoconductora.

• Materias:Propiedades fisicoquímicas Materiales compuestos Fotocatálisis Pavimentos Sistema cuántico
• Subjects:Chemicophysical properties Composite materials Photocatalysis Floors Quantum system
• Palabras claves:fotodetector ultravioleta ciego, número de mg, mecanismo de ganancia fotoconductora, longitud de onda de respuesta máxima, contenido de mg, técnicas de sputtering de frecuencia, película de mg0,52zn0,48o, electrodo interdigitado, tensión de polarización, pd
• Keywords:blind ultraviolet photodetector, number of mg, photoconductive gain mechanism, peak response wavelength, content of mg, frequency sputtering techniques, mg0.52zn0.48o film, interdigitated electrode, bias voltage, pd