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Numerical Simulation of the Effect of Heater Position on the Oxygen Concentration in the CZ Silicon Crystal Growth ProcessSimulación Numérica del Efecto de la Posición del Calentador en la Concentración de Oxígeno en el Proceso de Crecimiento de Cristales de Silicio CZ

Resumen

Realizamos simulaciones numéricas para analizar el efecto de la posición del calentador sobre los campos térmicos y de flujo y la distribución de la concentración de oxígeno durante el proceso industrial de crecimiento de cristales de silicio Cz. La cantidad de oxígeno liberado desde el crisol de sílice a la masa fundida de silicio durante el proceso de crecimiento puede reducirse ajustando la posición del calentador para disminuir la temperatura en la pared del crisol. Durante el crecimiento del cuerpo cristalino, se produce una disminución significativa del gradiente de la concentración de oxígeno a lo largo de la interfase fundido-cristal debido al vórtice Taylor-Proudman más fuerte, generado por la rotación del crisol y el cristal. Hay una reducción significativa de la concentración media de oxígeno en la interfase fusión-cristal para longitudes de cristal más largas debido a la menor temperatura de la pared, la menor superficie de contacto entre la pared del crisol y la masa fundida y el vórtice Taylor-Proudman más fuerte.

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  • Formato:pdf
  • Idioma:Ingl閟
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Información del documento

  • Titulo:Numerical Simulation of the Effect of Heater Position on the Oxygen Concentration in the CZ Silicon Crystal Growth Process
  • Autor:Ying-Yang, Teng; Jyh-Chen, Chen; Chung-Wei, Lu; Cheng-Chuan, Huang; Wan-Ting, Wun; Hsueh-I, Chen; Chi-Yung, Chen; Wen-Chieh, Lan
  • Tipo:Art韈ulo
  • Año:2012
  • Idioma:Ingl閟
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
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