Resumen

Recientemente, se ha investigado intensamente la fabricación de dispositivos de memoria no volátil basados en nanopartículas de oro. En este trabajo, informamos sobre el diseño y la síntesis de un nuevo quatertiofeno semiconductor que incorpora el grupo hexil tiol (4TT). Se prepararon nanopartículas de oro recubiertas con 4TT (4TTG) en un sistema bifásico líquido-líquido. Estas nanopartículas tienen diámetros comprendidos entre 2 y 6 nm y están bien dispersas en la matriz huésped de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT). La interacción intermolecular entre la 4TT y el P3HT podría mejorar el transporte de carga entre las nanopartículas de oro y el P3HT. La curva de transferencia del dispositivo de memoria transistorizado fabricado con la película híbrida 4TTG/P3HT presentaba una histéresis de corriente significativa, probablemente derivada de la barrera de nivel de energía en la interfaz 4TTG/P3HT. Además, la estructura de resistencia de memoria polimérica con una capa activa formada por 4TTG y P3HT mostró un notable comportamiento eléctrico biestable.

• Materias:Bioquímica Reacciones químicas Química analítica Química de los alimentos Química sostenible
• Subjects:Biochemistry Chemical reactions Analytical chemistry Food chemistry Sustainable chemistry
• Palabras claves:p3ht, nanopartículas de oro, estructura de resistencia de memoria polimérica, notable comportamiento eléctrico biestable, barrera de nivel de energía, grupo hexil tiol, dispositivos de memoria no volátil, histéresis de corriente significativa, dispositivo de memoria transistor, nanopartículas de oro
• Keywords:p3ht, gold nanoparticles, polymer memory resistor structure, remarkable electrical bistable behavior, energy level barrier, hexyl thiol group, nonvolatile memory devices, significant current hysteresis, transistor memory device, gold nanoparticles