Resumen

Presentamos el rendimiento y las propiedades eléctricas de los transistores de película fina (TFT) amorfos de óxido de hafnio, indio y zinc (α-HfIZO) procesados por co-sputtering. Las películas delgadas de α-HfIZO procesadas por co-sputtering han mostrado una fase amorfa en la naturaleza. Hemos podido modular los componentes de In, Hf y Zn modificando la potencia del co-sputtering. Además, la composición química de α-HfIZO tuvo un efecto significativo en la fiabilidad, histéresis, movilidad de efecto de campo (μFE), concentración de portadores y oscilación subumbral (S) del dispositivo. Nuestros resultados indicaron que podíamos fabricar con éxito y fácilmente TFT de α-HfIZO con un rendimiento excelente mediante el proceso de co-sputtering. Los TFT de α-HfIZO procesados por co-sputtering se fabricaron con una relación de corriente de encendido/apagado de ~106, mayor movilidad y una pendiente de subumbral tan pronunciada como 0,55 V/dec.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:hfizo tfts, transistores de película fina, componentes de zn, hafnio amorfo, fase amorfa, concentración de portadores, composición química, relación de corriente, movilidad de efecto, propiedades eléctricas
• Keywords:hfizo tfts, thin film transistors, zn components, amorphous hafnium, amorphous phase, carrier concentration, chemical composition, current ratio, effect mobility, electrical properties