Biblioteca73.326 documentos en línea

Artículo

Uniformly Distributed Graphene Domain Grows on Standing Copper via Low-Pressure Chemical Vapor DepositionUn dominio de grafeno uniformemente distribuido crece sobre cobre en reposo mediante deposición química de vapor a baja presión

Resumen

Se sintetizaron dominios de grafeno distribuidos uniformemente sobre una lámina de cobre en pie mediante un sistema de deposición química de vapor a baja presión. Este método mejoró la distribución de los dominios de grafeno en diferentes posiciones en el mismo trozo de lámina de cobre a lo largo de la dirección de avance del flujo de gas. La microscopía electrónica de barrido (SEM) mostró que el tamaño medio de los dominios de grafeno era de unos ~20 μm. Estos resultados muestran que la resistencia de la lámina de grafeno monocapa sobre un sustrato de tereftalato de polietileno (PET) es de unos ~359 Ω/□ mientras que la de las películas de grafeno de cuatro capas es de unos ~178 Ω/□, con un valor de transmitancia de 88,86 t la longitud de onda de 550 nm. Además, la resistencia de la lámina puede reducirse con la adición de HNO3, lo que resulta en un valor de 84 Ω/□. Estos valores cumplen el estándar absoluto para aplicaciones de sensores táctiles, por lo que creemos que este método puede ser un candidato para algunas aplicaciones de electrodos conductores transparentes.

  • Tipo de documento:
  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
  • Tamaño: Kb

Cómo citar el documento

Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.

Este contenido no est� disponible para su tipo de suscripci�n

Información del documento