Biblioteca25.665 documentos en línea

Artículo

A Simple Method to Differentiate between Free-Carrier Recombination and Trapping Centers in the Bandgap of the p-Type SemiconductorUn método sencillo para diferenciar entre la recombinación de portadores libres y los centros de atrapamiento en el bandgap del semiconductor de tipo p

Resumen

En esta investigación, se describen los rangos de los estados localizados en los que las tasas de recombinación y de atrapamiento de los portadores libres dominan la totalidad de las tasas de transición de los portadores libres en el bandgap del semiconductor tipo p. Aplicando el modelo Shockley-Read-Hall a un material tipo p bajo un nivel de inyección bajo, se describieron las expresiones para las tasas de recombinación, las tasas de atrapamiento y los tiempos de vida de los portadores libres (recombinación y atrapamiento) como funciones de las energías de los estados localizados. A continuación, se describieron las cantidades más importantes, denominadas coeficientes de atrapamiento de los portadores en exceso, como funciones de las energías del estado localizado. Las variaciones de las magnitudes de los ratios de atrapamiento de los portadores en exceso con las energías de los estados localizados nos permiten clasificar los estados localizados en el bandgap como niveles de recombinación, de atrapamiento, de aceptor y de donante. También se evalúan los efectos del atrapamiento de los portadores mayoritarios y minoritarios en los tiempos de vida de los portadores en exceso a diferentes niveles de energía localizados. Los resultados obtenidos revelan que sólo el exceso de atrapamiento de los minoritarios afecta a los tiempos de vida de los portadores en exceso, y el exceso de atrapamiento de los portadores mayoritarios no tiene ningún efecto.

  • Tipo de documento:
  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
  • Tamaño: Kb

Cómo citar el documento

Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.

Este contenido no est� disponible para su tipo de suscripci�n

Información del documento