Resumen

En esta investigación, se describen los rangos de los estados localizados en los que las tasas de recombinación y de atrapamiento de los portadores libres dominan la totalidad de las tasas de transición de los portadores libres en el bandgap del semiconductor tipo p. Aplicando el modelo Shockley-Read-Hall a un material tipo p bajo un nivel de inyección bajo, se describieron las expresiones para las tasas de recombinación, las tasas de atrapamiento y los tiempos de vida de los portadores libres (recombinación y atrapamiento) como funciones de las energías de los estados localizados. A continuación, se describieron las cantidades más importantes, denominadas coeficientes de atrapamiento de los portadores en exceso, como funciones de las energías del estado localizado. Las variaciones de las magnitudes de los ratios de atrapamiento de los portadores en exceso con las energías de los estados localizados nos permiten clasificar los estados localizados en el bandgap como niveles de recombinación, de atrapamiento, de aceptor y de donante. También se evalúan los efectos del atrapamiento de los portadores mayoritarios y minoritarios en los tiempos de vida de los portadores en exceso a diferentes niveles de energía localizados. Los resultados obtenidos revelan que sólo el exceso de atrapamiento de los minoritarios afecta a los tiempos de vida de los portadores en exceso, y el exceso de atrapamiento de los portadores mayoritarios no tiene ningún efecto.

• Materias:Análisis de suelos Hormigón Construcciones de hormigón Asfalto
• Subjects:Soil testing Concrete Concrete construction Asphalt
• Palabras claves:tiempo de vida del portador en exceso, energía del estado localizado, portador en exceso, estado localizado, portador libre, nivel de energía localizado, nivel de inyección bajo, atrapamiento del portador mayoritario, tasa de transición completa, atrapamiento del minoritario en exceso
• Keywords:excess carrier lifetime, localized state energy, excess carrier, localized state, free carrier, localized energy level, low injection level, majority carrier trapping, entire transition rate, excess minority trapping