logo móvil
logo tablet

Cookies y Privacidad

Usamos cookies propias y de terceros para mejorar la experiencia de nuestros usuarios, analizar el tráfico del sitio y personalizar contenido. Si continúas navegando, asumimos que aceptas su uso. Para más información, consulta nuestra Política de Cookies

Un circuito de píxeles AMOLED basado en transistores de película delgada LTPS con conducción de exploración de tipo mono

Usando transistores de película delgada de poli-silicio de baja temperatura (LTPS TFTs) como base, se desarrolló un circuito de píxeles para un diodo orgánico emisor de luz de matriz activa (AMOLED) con pantallas de bisel estrecho. El circuito de píxeles presenta señales de exploración de tipo mono, eliminación de líneas de alimentación estáticas y funciones de control de emisión integradas en el píxel. Por lo tanto, los circuitos controladores de compuerta del bisel de la pantalla pueden simplificarse eficientemente. Además, el circuito de píxeles tiene un diseño de alta resolución debido a un aumento del ancho de pulso de la señal de exploración para extender el voltaje de umbral y el período de detección de caída de resistencia interna (IR drop). Además, con respecto a las influencias de la variación de proceso-voltaje-temperatura (PVT) en el circuito de píxeles, se realizaron investigaciones de comparación con el circuito propuesto y otros circuitos de píxeles con señales de exploración de tipo mono utilizando análisis de Monte Carlo. La viabilidad del circuito de píxeles propuesto se demuestra bien, ya que las variaciones de corriente se pueden reducir al 2.1% para la potencia suministrada reducida de 5 V a 3 V debido a la IR drop, y la variación de corriente es tan baja como el 10.6% con temperaturas de funcionamiento de -40 grados a 85 grados.

Autores: Ke, Jianyuan; Deng, Lianwen; Zhen, Liying; Wu, Qing; Liao, Congwei; Luo, Heng; Huang, Shengxiang

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2020

Disponible con Suscripción Virtualpro

Artículos


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Licencia

Atribución – Compartir igual

Consultas: 8

Citaciones: Sin citaciones


Este documento es un artículo elaborado por Jianyuan Ke, Lianwen Deng, Liying Zhen, Qing Wu, Congwei Liao, Heng Luo y Shengxiang Huang para la revista Electronics, Vol. 9, Núm. 4. Publicación de MDPI. Contacto: electronics@mdpi.com
Descripción
Usando transistores de película delgada de poli-silicio de baja temperatura (LTPS TFTs) como base, se desarrolló un circuito de píxeles para un diodo orgánico emisor de luz de matriz activa (AMOLED) con pantallas de bisel estrecho. El circuito de píxeles presenta señales de exploración de tipo mono, eliminación de líneas de alimentación estáticas y funciones de control de emisión integradas en el píxel. Por lo tanto, los circuitos controladores de compuerta del bisel de la pantalla pueden simplificarse eficientemente. Además, el circuito de píxeles tiene un diseño de alta resolución debido a un aumento del ancho de pulso de la señal de exploración para extender el voltaje de umbral y el período de detección de caída de resistencia interna (IR drop). Además, con respecto a las influencias de la variación de proceso-voltaje-temperatura (PVT) en el circuito de píxeles, se realizaron investigaciones de comparación con el circuito propuesto y otros circuitos de píxeles con señales de exploración de tipo mono utilizando análisis de Monte Carlo. La viabilidad del circuito de píxeles propuesto se demuestra bien, ya que las variaciones de corriente se pueden reducir al 2.1% para la potencia suministrada reducida de 5 V a 3 V debido a la IR drop, y la variación de corriente es tan baja como el 10.6% con temperaturas de funcionamiento de -40 grados a 85 grados.

Documentos Relacionados

Temas Virtualpro