Este documento presenta un amplificador de banda ancha MMIC basado en la tecnología de transistor bipolar de doble unión heterogénea (DHBT) de InP de 0.5 um. El amplificador propuesto de emisor común contiene cinco etapas, y se utilizan circuitos de polarización en la red de coincidencia para obtener una ganancia alta estable en un rango de banda ancha. Los resultados de la medición demuestran una ganancia máxima de 19.5 dB a 146 GHz y un ancho de banda de 3 dB de 56-161 GHz (ancho de banda relativo del 96.8%). La potencia de salida de saturación alcanza 5.9 y 6.5 dBm a 94 y 140 GHz, respectivamente. La potencia de salida de compresión de 1 dB es -4.7 dBm con una potencia de entrada de -23 dBm a 94 GHz. El amplificador propuesto tiene un tamaño de chip compacto de 1.2 x 0.7 mm, incluyendo almohadillas de CC y RF.