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Influencia de la anchura de JFET en la robustez a cortocircuito de los MOSFET de potencia SiC de 1200 V
Este documento investiga y compara el rendimiento estático y la robustez a cortocircuito de los MOSFET de SiC de 1200 V con diferentes anchos de JFET (W = 2.0-5.0 m). Las mediciones de cortocircuito, así como las simulaciones eléctricas-termales, se utilizan para identificar la distribución térmica y el campo eléctrico máximo, proporcionando información valiosa sobre los límites de diseño. Los dispositivos en prueba (DUTs) con anchos de JFET estrechos y anchos exhiben diferentes mecanismos de falla bajo estrés de cortocircuito. Después de la falla por cortocircuito, se observan grietas dieléctricas intercapa (ILD) en los DUTs con ancho de JFET estrecho (W < 3 m). En contraste, se descubre que la marca de quemadura se encuentra en la región del canal del dispositivo con un ancho de JFET ancho. Además, el tiempo de resistencia al cortocircuito (SCWT) de los DUTs con anchos estrechos y anchos muestra tendencias variables bajo condiciones de alta temperatura (100 grados Celsius). Estos resultados pueden ayudar a verificar los diferentes mecanismos de falla y determinar un diseño óptimo de JFET para mejorar el equilibrio entre el rendimiento estático y la robustez a cortocircuito de los MOSFET de SiC.
Autores: Xu, Hongyi; Wang, Baozhu; Ren, Na; Long, Hu; Huang, Kai; Sheng, Kuang
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Disponible con Suscripción Virtualpro
Artículos
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 9
Citaciones: Sin citaciones
Este documento es un artículo elaborado por Hongyi Xu, Baozhu Wang, Na Ren, Hu Long, Kai Huang y Kuang Sheng para la revista Electronics, Vol. 12, Núm. 23. Publicación de MDPI. Contacto: electronics@mdpi.com
Este documento investiga y compara el rendimiento estático y la robustez a cortocircuito de los MOSFET de SiC de 1200 V con diferentes anchos de JFET (W = 2.0-5.0 m). Las mediciones de cortocircuito, así como las simulaciones eléctricas-termales, se utilizan para identificar la distribución térmica y el campo eléctrico máximo, proporcionando información valiosa sobre los límites de diseño. Los dispositivos en prueba (DUTs) con anchos de JFET estrechos y anchos exhiben diferentes mecanismos de falla bajo estrés de cortocircuito. Después de la falla por cortocircuito, se observan grietas dieléctricas intercapa (ILD) en los DUTs con ancho de JFET estrecho (W < 3 m). En contraste, se descubre que la marca de quemadura se encuentra en la región del canal del dispositivo con un ancho de JFET ancho. Además, el tiempo de resistencia al cortocircuito (SCWT) de los DUTs con anchos estrechos y anchos muestra tendencias variables bajo condiciones de alta temperatura (100 grados Celsius). Estos resultados pueden ayudar a verificar los diferentes mecanismos de falla y determinar un diseño óptimo de JFET para mejorar el equilibrio entre el rendimiento estático y la robustez a cortocircuito de los MOSFET de SiC.
Descripción
Este documento investiga y compara el rendimiento estático y la robustez a cortocircuito de los MOSFET de SiC de 1200 V con diferentes anchos de JFET (W = 2.0-5.0 m). Las mediciones de cortocircuito, así como las simulaciones eléctricas-termales, se utilizan para identificar la distribución térmica y el campo eléctrico máximo, proporcionando información valiosa sobre los límites de diseño. Los dispositivos en prueba (DUTs) con anchos de JFET estrechos y anchos exhiben diferentes mecanismos de falla bajo estrés de cortocircuito. Después de la falla por cortocircuito, se observan grietas dieléctricas intercapa (ILD) en los DUTs con ancho de JFET estrecho (W < 3 m). En contraste, se descubre que la marca de quemadura se encuentra en la región del canal del dispositivo con un ancho de JFET ancho. Además, el tiempo de resistencia al cortocircuito (SCWT) de los DUTs con anchos estrechos y anchos muestra tendencias variables bajo condiciones de alta temperatura (100 grados Celsius). Estos resultados pueden ayudar a verificar los diferentes mecanismos de falla y determinar un diseño óptimo de JFET para mejorar el equilibrio entre el rendimiento estático y la robustez a cortocircuito de los MOSFET de SiC.