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Un filtro pasa banda compacto de doble modo con alta supresión fuera de banda utilizando un resonador cargado de tope basado en el proceso IPD de GaAs
En esta carta, se propone un filtro pasa banda (BPF) compacto de doble modo con una banda de rechazo ultra ancha que emplea dos resonadores de bucle abierto plegados (FOLRs) y resonadores cargados de tope (SLRs). Los resonadores de doble modo se optimizan cargando dos SLRs en los resonadores de bucle abierto plegados, y este proceso se analiza utilizando la teoría de doble modo. Para miniaturizar el tamaño del dispositivo y aumentar el rendimiento del chip, el BPF propuesto se fabrica mediante un proceso de fabricación de semiconductores compuestos III-V utilizando un sustrato de GaAs de alto rendimiento basado en el proceso de fabricación de dispositivos de pasivación de integración (IPD). Se diseña y fabrica un BPF compacto de doble modo con baja pérdida de inserción y alto retorno de pérdida. Dos ceros de transmisión adicionales (TZs) ubicados en el rango de alta frecuencia aumentan la banda de rechazo ancha, y los dos TZs cerca de la banda de paso resultan en una mayor selectividad. Se logra una frecuencia resonante centrada en 7.45 GHz con una pérdida de inserción de -1.21 dB y un retorno de pérdida medido superior a -23.53 dB y anchos de banda fraccionarios de 3 dB del 5.8%. La banda de rechazo puede ser suprimida hasta 20 GHz debido a los dos TZs ajustables resultando en una mayor selectividad y rechazo de banda ancha. El tamaño del filtro se optimizó drásticamente utilizando una arquitectura simplificada de dos FOLRs y SLRs.
Autores: Zhang, Wei; Yao, Zhao; Zhang, Jie; Kim, Eun Seong; Kim, Nam Young
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Disponible con Suscripción Virtualpro
Artículos
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Licencia
Atribución – Compartir igual
Consultas: 8
Citaciones: Sin citaciones
Este documento es un artículo elaborado por Wei Zhang, Zhao Yao, Jie Zhang, Eun Seong Kim y Nam Young Kim para la revista Electronics, Vol. 9, Núm. 5. Publicación de MDPI. Contacto: electronics@mdpi.com
En esta carta, se propone un filtro pasa banda (BPF) compacto de doble modo con una banda de rechazo ultra ancha que emplea dos resonadores de bucle abierto plegados (FOLRs) y resonadores cargados de tope (SLRs). Los resonadores de doble modo se optimizan cargando dos SLRs en los resonadores de bucle abierto plegados, y este proceso se analiza utilizando la teoría de doble modo. Para miniaturizar el tamaño del dispositivo y aumentar el rendimiento del chip, el BPF propuesto se fabrica mediante un proceso de fabricación de semiconductores compuestos III-V utilizando un sustrato de GaAs de alto rendimiento basado en el proceso de fabricación de dispositivos de pasivación de integración (IPD). Se diseña y fabrica un BPF compacto de doble modo con baja pérdida de inserción y alto retorno de pérdida. Dos ceros de transmisión adicionales (TZs) ubicados en el rango de alta frecuencia aumentan la banda de rechazo ancha, y los dos TZs cerca de la banda de paso resultan en una mayor selectividad. Se logra una frecuencia resonante centrada en 7.45 GHz con una pérdida de inserción de -1.21 dB y un retorno de pérdida medido superior a -23.53 dB y anchos de banda fraccionarios de 3 dB del 5.8%. La banda de rechazo puede ser suprimida hasta 20 GHz debido a los dos TZs ajustables resultando en una mayor selectividad y rechazo de banda ancha. El tamaño del filtro se optimizó drásticamente utilizando una arquitectura simplificada de dos FOLRs y SLRs.
Descripción
En esta carta, se propone un filtro pasa banda (BPF) compacto de doble modo con una banda de rechazo ultra ancha que emplea dos resonadores de bucle abierto plegados (FOLRs) y resonadores cargados de tope (SLRs). Los resonadores de doble modo se optimizan cargando dos SLRs en los resonadores de bucle abierto plegados, y este proceso se analiza utilizando la teoría de doble modo. Para miniaturizar el tamaño del dispositivo y aumentar el rendimiento del chip, el BPF propuesto se fabrica mediante un proceso de fabricación de semiconductores compuestos III-V utilizando un sustrato de GaAs de alto rendimiento basado en el proceso de fabricación de dispositivos de pasivación de integración (IPD). Se diseña y fabrica un BPF compacto de doble modo con baja pérdida de inserción y alto retorno de pérdida. Dos ceros de transmisión adicionales (TZs) ubicados en el rango de alta frecuencia aumentan la banda de rechazo ancha, y los dos TZs cerca de la banda de paso resultan en una mayor selectividad. Se logra una frecuencia resonante centrada en 7.45 GHz con una pérdida de inserción de -1.21 dB y un retorno de pérdida medido superior a -23.53 dB y anchos de banda fraccionarios de 3 dB del 5.8%. La banda de rechazo puede ser suprimida hasta 20 GHz debido a los dos TZs ajustables resultando en una mayor selectividad y rechazo de banda ancha. El tamaño del filtro se optimizó drásticamente utilizando una arquitectura simplificada de dos FOLRs y SLRs.