Para maximizar la eficiencia del equipo de telecomunicaciones, es necesario que el amplificador de potencia de radiofrecuencia (RF) se encuentre lo más cerca posible de su punto de compresión. Esto hace que su respuesta sea no lineal, por lo que es necesario linearizarlo, para minimizar la interferencia que las no linealidades causan fuera de la banda útil (canal adyacente). El sistema utilizado para esta linearización ocupa un alto porcentaje de los recursos de hardware y software del equipo de telecomunicaciones, por lo que es interesante minimizar su complejidad para hacerlo lo más simple posible. Este documento analiza las diferencias entre los amplificadores de potencia de óxido de metal semiconductor de difusión lateral (LDMOS) y nitruro de galio (GaN), en términos de sus gráficos de no linealidad y en términos de la mayor o menor dificultad de linearización. Una elección correcta del amplificador de potencia permitirá minimizar el sistema de linearización, simplificando en gran medida la complejidad del diseño final.