La realización de silicio-germanio sobre aislante (SGOI) de alta calidad es un objetivo importante para el campo de la fotónica de silicio porque tiene el potencial de permitir dispositivos activos de muy baja potencia que funcionen en las longitudes de onda de comunicación de 1,3 μm y 1,55 μm. Además, la SGOI tiene el potencial de formar dispositivos electrónicos más rápidos, como los transistores BiCMOS, y también podría constituir la espina dorsal de una nueva plataforma de fotónica de silicio que se extienda a las longitudes de onda del infrarrojo medio para aplicaciones en, entre otras, la detección y las telecomunicaciones. En este artículo, presentamos un método novedoso de formación de SGOI monocristalino y sin defectos mediante una técnica de crecimiento rápido por fusión. Utilizamos estructuras a medida para formar tiras de SGOI de composición uniforme localizadas, que son adecuadas para la fabricación de dispositivos de última generación. Esta técnica podría allanar el camino para la integración sin fisuras de dispositivos electrónicos y fotónicos utilizando un único paso de deposición de Ge de bajo coste.