Descriptores basados en la valencia para carburos de silicio, yoduro de bismuto (III) y dendrímeros en aplicaciones farmacológicas

El carburo de silicio (SiC), también llamado carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono. Los dendrímeros son moléculas repetidamente ramificadas que suelen ser simétricas alrededor del núcleo y a menudo adoptan una morfología tridimensional esférica. El yoduro de bismuto (III) es un compuesto inorgánico de fórmula BiI3. Este sólido gris-negro es el producto de la reacción entre el bismuto y el yodo, que antaño era de interés en el análisis inorgánico cualitativo. En teoría química de grafos, asociamos un grafo a un compuesto y calculamos índices topológicos que nos ayudan a adivinar propiedades del compuesto estudiado. Un índice topológico es el número invariante del grafo, calculado a partir de un grafo que representa una molécula. La mayoría de los índices topológicos propuestos están relacionados con una relación de adyacencia de vértices (conectividad átomo-átomo) en el grafo o con distancias topológicas en el grafo. En este artículo, pretendemos calcular los índices de Gourava primero y segundo y los índices de hiper-Gourava para carburos de silicio, yoduro de bismuto(III) y dendrímeros.

Autores: Qi-Zhao, Li; Abaid ur Rehman, Virk; Kashif, Nazar; Imran, Ahmed; Iskander, Tlili