Se desarrollan nanostructuras de GaN epitaxial y se evalúa la influencia de la capa de amortiguación de AlN (modulación de temperatura) en las características del material y la aplicación de dispositivos optoelectrónicos. La capa de amortiguación de AlN se cultivó sobre un sustrato de Si (111) a diferentes temperaturas (770-830 grados C), seguida del crecimiento de GaN utilizando epitaxia de haz molecular asistida por plasma. La investigación reveló que la capa de amortiguación de AlN a temperatura comparativamente más baja era responsable de la relajación del estrés y la deformación de la red, y se realizó como las estructuras nano-obelisco de GaN. Por el contrario, el aumento de la temperatura del crecimiento de AlN condujo a la formación de estructuras nanopyramidales y nanowax/wane de GaN. Estas heteroestructuras de GaN/AlN/Si cultivadas se utilizaron para desarrollar fotodetectores en un formato de geometría metal-semiconductor-metal. El rendimiento de estos dispositivos optoelectrónicos fabricados se examinó bajo iluminación ultravioleta (UVA), donde el dispositivo basado en nano-obeliscos de GaN alcanzó la mayor responsividad de 118 AW. Bajo iluminación UVA (325 nm), el dispositivo diseñado mostró una alta detectividad de 1 x 10 Jones, potencia equivalente de ruido de 1 x 10 WHz y eficiencia cuántica externa del 45,000%. El análisis reveló que la calidad de la capa de amortiguación de AlN mejoró significativamente el rendimiento optoelectrónico del dispositivo.