En esta revisión, proporcionamos una visión general de las trampas de portadores de carga mayoritarios y minoritarios más comunes en materiales n-tipo 4H-SiC. Nos centramos en los resultados obtenidos por diferentes aplicaciones de técnicas de espectroscopía de unión. Se presentan los principios básicos detrás de las técnicas de espectroscopía de unión más comunes. Estas técnicas, a saber, la espectroscopía transitoria de niveles profundos (DLTS), la DLTS de Laplace (L-DLTS) y la espectroscopía transitoria de portadores minoritarios (MCTS), han llevado a un progreso reciente en la identificación y mejor comprensión de las trampas de portadores de carga en materiales n-tipo 4H-SiC.