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Estudio sobre un mecanismo USB seguro que impide la exposición de la información de autenticación para servicios inteligentes de atención a las personas
La unidad flash USB segura se desarrolló para mejorar la seguridad de la unidad flash USB convencional, que es vulnerable a las fugas de datos almacenados internamente causadas por extorsión, pérdida, etc. Sin embargo, se ha informado continuamente de que la unidad flash USB segura, que protege los datos mediante la adopción de una amplia gama de tecnologías de seguridad de gran alcance, no puede garantizar la seguridad de los datos debido a las vulnerabilidades de implementación y del entorno, las escuchas, los comandos de desbloqueo y la ingeniería inversa. Por ello, existe una creciente demanda de una memoria USB segura más potente que resuelva estos problemas fundamentales. Por lo tanto, este artículo presenta un mecanismo USB seguro que evita las fugas de datos de autenticación y no compara los datos de autenticación para los servicios de atención humana inteligente, que han sido un problema fundamental de las memorias USB existentes. El mecanismo propuesto proporciona mayor seguridad que las memorias USB seguras existentes, ya que satisface las necesidades de confidencialidad, integridad, autenticación y control de acceso, y protege los datos de forma segura frente a ataques de suplantación de identidad, man-in-the-middle, replay y eavesdropping por parte de atacantes malintencionados. Una evaluación de su seguridad mediante la herramienta de verificación formalizada AVISPA ha demostrado que es seguro. Por lo tanto, se considera que se puede fabricar una memoria USB más segura utilizando el mecanismo propuesto en este artículo.
Autores: Kyungroul, Lee; Insu, Oh; Yeunsu, Lee; Hyeji, Lee; Kangbin, Yim; Jungtaek, Seo
Idioma: Inglés
Editor: Hindawi
Año: 2018
Disponible con Suscripción Virtualpro
Categoría
Licencia
Consultas: 7
Citaciones: Sin citaciones
Hindawi
Journal of Sensors
Volume 2018, Article ID 2089626, 17 pages
https://doi.org/10.1155/2018/2089626
Kyungroul Lee1, Insu Oh2, Yeunsu Lee2, Hyeji Lee2, Kangbin Yim2, Jungtaek Seo2
1 , Republic of Korea
2 , Republic of Korea
Academic Editor: Mucheol Kim
Contact: js@hindawi.com