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Evaluación in vitro de las fugas bacterianas en la conexión implante-pilar: Un cono morse de 11 grados comparado con una conexión a tope
Antecedentes y objetivo. La geometría de la interfaz implante-pilar (IAI) afecta al riesgo de fuga bacteriana y de invasión de las partes internas del implante. El objetivo de este estudio fue comparar la fuga bacteriana de una IAI con cono Morse de 11 grados con la de una conexión a tope. Materiales y métodos. Se probaron dos sistemas de implantes (n=10 por grupo): CSM (sumergido) y TBR (conectado). Las partes internas más profundas de los implantes se inocularon con 2 μL de suspensión de Streptococcus mutans con una concentración de 108 UFC/mL. Los pilares se apretaron sobre los implantes. Los especímenes se almacenaron en la incubadora a una temperatura de 37 °C durante 14 días y se determinó la penetración de la bacteria en la zona circundante mediante la observación de la turbidez de la solución y la comparación con los especímenes de control. Se trazó la curva de supervivencia de Kaplan-Meier para la estimación de la fuga bacteriana y los resultados entre dos grupos de implantes se analizaron estadísticamente mediante la prueba de chi-cuadrado. Resultados. Ningún caso del sistema de implantes con el diseño de conexión cónica interna reveló fugas bacterianas en 14 días y no se informó de la turbidez de la solución en el mismo. En el sistema con conexión implante-pilar a tope, 1 caso mostró fugas al tercer día, 1 caso al octavo día y 5 casos al 13º día. En total, 7 (70%) casos mostraron fugas bacterianas en este sistema. Se encontraron diferencias significativas entre los dos grupos de implantes en función de la incidencia de fugas bacterianas (p
Autores: Hooman, Khorshidi; Saeed, Raoofi; Afagh, Moattari; Atoosa, Bagheri; Mohammad Hassan, Kalantari
Idioma: Inglés
Editor: Hindawi Publishing Corporation
Año: 2016
Disponible con Suscripción Virtualpro
Categoría
Licencia
Consultas: 11
Citaciones: Sin citaciones
Hindawi
International Journal of Biomaterials
Volume 2016, Article ID 8527849, 5 pages
https://doi.org/10.1155/2016/8527849
Hooman Khorshidi 1, Saeed Raoofi 1, Afagh Moattari 2, Atoosa Bagheri 1, Mohammad Hassan Kalantari 1
1 , Iran
2 , Iran
Academic Editor: Feng-Huei Lin
Contact: ijbm@hindawi.com