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Formalismo de cálculo de la movilidad de portadores en un pozo cuántico delta dopado
Este artículo ofrece un esquema para el cálculo de la movilidad de electrones en una estructura de pozo delta dopado, a bajas temperaturas y para campos eléctricos aplicados no muy intensos. El análisis se hace para un sistema dopado tipo n, considerando una lámina de impurezas de silicio en una muestra de GaAs. Se tiene en cuanta explícitamente el carácter tridimensional de los estados electrónicos y de las magnitudes que se miden –en lugar de realizar aproximaciones en que se reduzcan las dimensiones del sistema–, lo que facilita la ejecución del cálculo. Se exponen los resultados de otros esquemas utilizados y se dan las fórmulas que se emplearán para comprobar y comparar nuestros cálculos con los reportados previamente. En la actualidad, se está en el proceso de implementación del cálculo numérico, del que se expone el algoritmo que se tiene en ejecución.
Autores: Rodríguez-Coppola, H.; Mora-Ramos, M.E.; Gaggero-Sager, L.M.
Idioma: Español
Editor: Universidad De La Salle Bajío
Año: 2013
Disponible con Suscripción Virtualpro
Categoría
Licencia
Consultas: 56
Citaciones: Sin citaciones
Artículo escrito por H. Rodríguez-Coppola del Departamento de Física Aplicada, Facultad de Física, Universidad de La Habana, Cuba; M. E. Mora-Ramos y L. M.Gaggero-Sager de la Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma del Estado de Morelos. Para la revista de investigación multidisciplinaria Nova Scientia de acceso abierto, de la Universidad de la Salle Bajío México (vol. 5, núm. 10, 2013 p-p 27-50) Correo de contacto: huberto.rodriguezcoppola@gmail.com
Este artículo ofrece un esquema para el cálculo de la movilidad de electrones en una estructura de pozo delta dopado, a bajas temperaturas y para campos eléctricos aplicados no muy intensos. El análisis se hace para un sistema dopado tipo n, considerando una lámina de impurezas de silicio en una muestra de GaAs. Se tiene en cuanta explícitamente el carácter tridimensional de los estados electrónicos y de las magnitudes que se miden –en lugar de realizar aproximaciones en que se reduzcan las dimensiones del sistema–, lo que facilita la ejecución del cálculo. Se exponen los resultados de otros esquemas utilizados y se dan las fórmulas que se emplearán para comprobar y comparar nuestros cálculos con los reportados previamente. En la actualidad, se está en el proceso de implementación del cálculo numérico, del que se expone el algoritmo que se tiene en ejecución.
Este artículo ofrece un esquema para el cálculo de la movilidad de electrones en una estructura de pozo delta dopado, a bajas temperaturas y para campos eléctricos aplicados no muy intensos. El análisis se hace para un sistema dopado tipo n, considerando una lámina de impurezas de silicio en una muestra de GaAs. Se tiene en cuanta explícitamente el carácter tridimensional de los estados electrónicos y de las magnitudes que se miden –en lugar de realizar aproximaciones en que se reduzcan las dimensiones del sistema–, lo que facilita la ejecución del cálculo. Se exponen los resultados de otros esquemas utilizados y se dan las fórmulas que se emplearán para comprobar y comparar nuestros cálculos con los reportados previamente. En la actualidad, se está en el proceso de implementación del cálculo numérico, del que se expone el algoritmo que se tiene en ejecución.