Este artículo ofrece un esquema para el cálculo de la movilidad de electrones en una estructura de pozo delta dopado, a bajas temperaturas  y para campos eléctricos aplicados no muy intensos. El análisis se hace para un sistema dopado tipo n, considerando una lámina de impurezas de silicio en  una  muestra  de GaAs.  Se  tiene  en  cuanta  explícitamente  el  carácter  tridimensional  de  los estados  electrónicos  y  de  las  magnitudes  que  se  miden –en  lugar  de  realizar  aproximaciones  en que se reduzcan las dimensiones del sistema–, lo que facilita la ejecución del cálculo. Se exponen los  resultados  de  otros  esquemas  utilizados  y  se  dan  las  fórmulas  que  se  emplearán  para comprobar y comparar nuestros cálculos con los reportados previamente. En la actualidad, se está en  el  proceso  de  implementación  del  cálculo  numérico,  del  que  se  expone  el  algoritmo  que  se tiene en ejecución.