En este artículo, se presenta la caracterización de dispositivos memristivos basados en óxido de zinc y estaño (ZTO) con tamaños de características tan pequeños como 25 um. Los dispositivos se patternizan mediante lift-off con un contacto inferior de platino y un contacto superior de oro-titanio. Se obtiene una relación on/off de más de dos órdenes de magnitud sin necesidad de procesos de electroformado. La operación de establecimiento es un proceso controlado por corriente, mientras que el reinicio depende del voltaje. La dependencia de la temperatura de las características eléctricas revela un mecanismo de conducción dominado por el volumen para estados de alta resistencia. Sin embargo, el transporte de carga en el estado de baja resistencia es consistente con la emisión de Schottky. Se muestran propiedades sinápticas como ciclos de potenciación y depresión, con aumentos y disminuciones progresivas en el valor de conductancia bajo 50 pulsos sucesivos. Esto valida el uso potencial de dispositivos memristivos ZTO para un cálculo de redes neuronales profundas inspiradas en el cerebro que sea sostenible y eficiente en energía.