Este artículo se enfoca en el estudio del desplazamiento radial, la densidad de portadores, las temperaturas conductivas y termodinámicas, y las tensiones en un medio semiconductor con un agujero esférico. Este estudio trata sobre las interacciones foto-termoelásticas en un material semiconductor que contiene una cavidad esférica. Se utiliza la nueva teoría hiperbólica de dos temperaturas con un retardo temporal. La superficie interna de la cavidad está restringida y la densidad de portadores se genera fotogénicamente por un flujo de calor en los límites de pulso decaídos exponencialmente. Se utilizan soluciones analíticas mediante el enfoque de los valores propios bajo los enfoques de la transformación de Laplace para obtener la solución del problema y la inversión de las transformaciones de Laplace se realiza numéricamente. Se presentan resultados numéricos para materiales semiconductores de forma gráfica y se discuten para mostrar las variaciones de las cantidades físicas bajo el modelo presente.