En este trabajo se describe el comportamiento del transporte eléctrico de diodos Schottky de heteroestructura n-n de nanopuntos de nitruro de indio y silicio (InN ND-Si), fabricados mediante epitaxia de haces moleculares asistida por plasma. Las estructuras InN ND se hicieron crecer sobre una capa tampón de 20 nm de InN sobre sustratos de Si. Estos puntos son monocristalinos y crecen en la dirección [0 0 0 1]. Los gráficos de densidad de corriente-voltaje (J-V-T) dependientes de la temperatura revelan que el factor de idealidad (η) y la altura de la barrera Schottky (SBH) (ΦB) dependen de la temperatura. Los valores incorrectos de la constante de Richardson (A**) producidos sugieren una barrera no homogénea. Las descripciones de los resultados experimentales se explicaron utilizando dos modelos. El primero es el modelo de inhomogeneidades de altura de barrera (BHIs), en el que la consideración de un área efectiva del contacto inhomogéneo proporcionó un procedimiento para la determinación correcta de A**. La constante de Richardson se extrae ~110 A cm-2 K-2 utilizando el modelo BHI y que está en muy buen acuerdo con el valor teórico de 112 A cm-2 K-2. El segundo modelo utiliza la estadística gaussiana y, mediante ella, la altura media de barrera Φ0 y A** resultaron ser de 0,69 eV y 113 A cm-2 K-2, respectivamente.