La intensidad de luz excesiva, a menudo resultado de disturbios antropogénicos, representa una amenaza para las plántulas sensibles a la luz. Este estudio examinó los efectos de cinco niveles de intensidad de luz y tres tasas de aplicación de silicio (Si) en el rendimiento fotosintético, las respuestas al estrés oxidativo y el crecimiento de las plántulas. Los resultados indicaron que la luz solar plena redujo significativamente el diámetro del suelo, el contenido de clorofila, el área foliar específica y la conductancia estomática. Mientras tanto, aumentó las actividades de la superóxido dismutasa y la peroxidasa, y llevó a una mayor acumulación de malondialdehído (MDA). La aplicación de Si mejoró la altura de las plántulas, la acumulación de biomasa y la actividad de las enzimas antioxidantes en condiciones de alta luz, mientras que redujo el contenido de MDA, la conductancia estomática de CO y la tasa de transpiración, manteniendo una tasa fotosintética neta estable. Sin embargo, un exceso de Si (3000 mg·kg) llevó a una disminución de la actividad de la catalasa, el contenido de clorofila y el área foliar bajo luz intensa. Estos hallazgos sugieren que las plántulas funcionan mejor bajo sombra moderada (11,000-46,000 lx) y aplicación moderada de Si (1000-2000 mg·kg), que juntas mitigan el daño por fotoinhibición. Por lo tanto, las respuestas fisiológicas óptimas requieren concentraciones equilibradas de Si. Se justifica una investigación adicional para elucidar los mecanismos subyacentes a los efectos interactivos de la sombra y la aplicación de Si para mejorar la resiliencia de las plántulas.