El comportamiento eléctrico en dispositivos semiconductores es el resultado de la inyección y evacuación de portadores eléctricos en la región de baja dopaje. La dinámica de los portadores está determinada por la ecuación de difusión ambipolar (ADE), que involucra los principales fenómenos físicos en la región de baja dopaje. La ADE no tiene una solución analítica directa ya que es una ecuación diferencial de segundo orden espacio-temporal. La solución numérica es la más utilizada, pero es inadecuada para integrarse en simuladores de circuitos eléctricos comerciales. En este artículo, se propone una aproximación empírica como solución de la ADE. La solución propuesta fue validada utilizando las ecuaciones finales que se implementaron en un simulador; los resultados se compararon con los resultados experimentales en cada fase, obteniendo una similitud en las formas de onda de corriente. Finalmente, una ventaja de la metodología propuesta es que las expresiones finales obtenidas pueden implementarse fácilmente en simuladores comerciales.