Con las ventajas de alta velocidad, tamaño pequeño y fácil integración, el modulador de anillo resonante fotónico de silicio se ha convertido gradualmente en un dispositivo crítico para las plataformas ópticas integradas emergentes. Los moduladores de anillo se utilizan principalmente en comunicaciones ópticas, computación óptica, inteligencia artificial y otros campos. En este trabajo, el modulador de anillo propuesto puede operar tanto en las bandas O como C. El ancho de banda electro-óptico (EO) de 3 dB del modulador de anillo es de 39 GHz y 34 GHz a -4 V en la banda O y C, respectivamente. La eficiencia de modulación del dispositivo es de 0.92 V·cm y 0.95 V·cm en las bandas O y C, respectivamente. El diagrama de ojo de una señal de salida óptica del dispositivo se probó utilizando una señal de entrada no retorno a cero (NRZ) de 100 Gbit/s con un 2.5 tanto en las bandas O como C. La velocidad de modulación puede alcanzar 140 Gb/s y 120 Gb/s en las bandas O y C con formatos de modulación de amplitud de pulso de cuatro niveles (PAM-4) con un rango de voltaje de 2.5 , respectivamente.