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Pasivación química con quinhidrona de una superficie de silicio para mediciones del tiempo de vida de portadores minoritarios a granel

Para medir el tiempo de vida del portador minoritario se utiliza el método de caracterización MW-PCD, en el que el resultado de la medición es el tiempo de vida efectivo del portador, que depende en gran medida de la velocidad de recombinación de la superficie y, por tanto, de la calidad de la pasivación de la superficie de silicio. En este trabajo se examinan distintos tipos de soluciones para la pasivación química de una superficie de silicio. Se prueban varias soluciones en obleas de silicio para su consiguiente comparación. El objetivo principal es encontrar la solución óptima, que se adapte a los requisitos de estabilidad temporal y velocidad de arranque de la pasivación, reproducibilidad de las mediciones y posibilidad de una limpieza perfecta de los restos de solución pasivante de una superficie de silicio, de modo que los parámetros de una oblea de silicio medida no empeoren y no haya contaminación de las demás series de obleas en la producción tras un retorno repetitivo de la oblea medida al proceso de producción. El propio proceso de limpieza también es objeto de un desarrollo.

Autores: M., Solcansky; J., Vanek; A., Poruba

Idioma: Inglés

Editor: Hindawi Publishing Corporation

Año: 2012

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Acceso abierto

Artículo científico


Categoría

Energía

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 10

Citaciones: Sin citaciones


Hindawi

International Journal of Photoenergy

Volume 2012, Article ID 732647, 4 pages

https://doi.org/10.1155/2012/732647

M. Solcansky1, 2, , J. Vanek1, A. Poruba2

1 , Czech Republic

2 , Czech Republic

Academic Editor: Bhushan Sopori

Contact: ijp@hindawi.com

Ver Artículo científico
Descripción
Para medir el tiempo de vida del portador minoritario se utiliza el método de caracterización MW-PCD, en el que el resultado de la medición es el tiempo de vida efectivo del portador, que depende en gran medida de la velocidad de recombinación de la superficie y, por tanto, de la calidad de la pasivación de la superficie de silicio. En este trabajo se examinan distintos tipos de soluciones para la pasivación química de una superficie de silicio. Se prueban varias soluciones en obleas de silicio para su consiguiente comparación. El objetivo principal es encontrar la solución óptima, que se adapte a los requisitos de estabilidad temporal y velocidad de arranque de la pasivación, reproducibilidad de las mediciones y posibilidad de una limpieza perfecta de los restos de solución pasivante de una superficie de silicio, de modo que los parámetros de una oblea de silicio medida no empeoren y no haya contaminación de las demás series de obleas en la producción tras un retorno repetitivo de la oblea medida al proceso de producción. El propio proceso de limpieza también es objeto de un desarrollo.

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