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Polarizador complementario SOT-MRAM para aplicaciones de memoria en chip de bajo consumo y robustas
La memoria de acceso aleatorio magnético de transferencia de torque de espín polarizado complementario (CPSTT-MRAM) se ha propuesto para abordar los problemas de confiabilidad de detección causados por la detección unidireccional de STT-MRAM. Sin embargo, resulta en un aumento de tres veces en el área de la capa libre (FL) en comparación con STT-MRAM, lo que conduce a un mayor corriente de escritura. Además, los caminos de corriente de lectura y escritura en esta memoria son iguales, lo que impide la optimización de cada operación. Para abordar esto, en este estudio, propusimos una memoria de acceso aleatorio magnético de torque de espín de órbita polarizado complementario (CPSOT-MRAM), que aborda estos problemas a través del mecanismo SOT. Este CPSOT-MRAM conserva las ventajas de CPSTT-MRAM mientras alivia significativamente el problema de alta corriente de escritura requerida. Además, la separación de los caminos de corriente de lectura y escritura permite la optimización de cada operación. En comparación con CPSTT-MRAM, el CPSOT-MRAM propuesto logra una mejora de 4.0x y 2.8x en la potencia de escritura y lectura, respectivamente, y una reducción del 20% en el área de diseño.
Autores: Kim, Hyerim; Kwon, Kon-Woo; Seo, Yeongkyo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Disponible con Suscripción Virtualpro
Artículos
2024
Polarizador complementario SOT-MRAM para aplicaciones de memoria en chip de bajo consumo y robustasCategoría
Ingeniería y Tecnología
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 10
Citaciones: Sin citaciones
Este documento es un artículo elaborado por Hyerim Kim, Kon-Woo Kwon y Yeongkyo Seo para la revista Electronics, Vol. 13, Núm. 17. Publicación de MDPI. Contacto: electronics@mdpi.com
La memoria de acceso aleatorio magnético de transferencia de torque de espín polarizado complementario (CPSTT-MRAM) se ha propuesto para abordar los problemas de confiabilidad de detección causados por la detección unidireccional de STT-MRAM. Sin embargo, resulta en un aumento de tres veces en el área de la capa libre (FL) en comparación con STT-MRAM, lo que conduce a un mayor corriente de escritura. Además, los caminos de corriente de lectura y escritura en esta memoria son iguales, lo que impide la optimización de cada operación. Para abordar esto, en este estudio, propusimos una memoria de acceso aleatorio magnético de torque de espín de órbita polarizado complementario (CPSOT-MRAM), que aborda estos problemas a través del mecanismo SOT. Este CPSOT-MRAM conserva las ventajas de CPSTT-MRAM mientras alivia significativamente el problema de alta corriente de escritura requerida. Además, la separación de los caminos de corriente de lectura y escritura permite la optimización de cada operación. En comparación con CPSTT-MRAM, el CPSOT-MRAM propuesto logra una mejora de 4.0x y 2.8x en la potencia de escritura y lectura, respectivamente, y una reducción del 20% en el área de diseño.
Descripción
La memoria de acceso aleatorio magnético de transferencia de torque de espín polarizado complementario (CPSTT-MRAM) se ha propuesto para abordar los problemas de confiabilidad de detección causados por la detección unidireccional de STT-MRAM. Sin embargo, resulta en un aumento de tres veces en el área de la capa libre (FL) en comparación con STT-MRAM, lo que conduce a un mayor corriente de escritura. Además, los caminos de corriente de lectura y escritura en esta memoria son iguales, lo que impide la optimización de cada operación. Para abordar esto, en este estudio, propusimos una memoria de acceso aleatorio magnético de torque de espín de órbita polarizado complementario (CPSOT-MRAM), que aborda estos problemas a través del mecanismo SOT. Este CPSOT-MRAM conserva las ventajas de CPSTT-MRAM mientras alivia significativamente el problema de alta corriente de escritura requerida. Además, la separación de los caminos de corriente de lectura y escritura permite la optimización de cada operación. En comparación con CPSTT-MRAM, el CPSOT-MRAM propuesto logra una mejora de 4.0x y 2.8x en la potencia de escritura y lectura, respectivamente, y una reducción del 20% en el área de diseño.