Se producen películas de silicio policristalino (pc-Si) mediante el proceso de cristalización inducida por aluminio (AIC) para una capa semilla de célula solar de silicio policristalino, y se analizan las propiedades estructurales y eléctricas de las películas. La estructura utilizada es vidrio/Al/ Al2O3/a-Si, y el espesor de la capa de Al2O3 se varió de 2 nm a 20 nm para investigar la influencia del espesor de la capa de Al2O3 en la formación del silicio policristalino. La temperatura y el tiempo de recocido se fijaron en 400∘C y 5 horas, respectivamente, para las condiciones del proceso AIC. Como resultado, se observa que el tamaño medio de grano de las películas de pc-Si es rápidamente menor con el aumento del espesor de la capa de Al2O3, mientras que la calidad de la película, como defectos y movilidad Hall, se degradó gradualmente con sólo una pequeña diferencia. Obtuvimos un tamaño de grano medio máximo de 15 μm para la película de pc-Si con un espesor de capa de Al2O3 de 4 nm. La mejor resistividad y la movilidad Hall fueron de 6,1×10-2 Ω-cm y 90,91 cm2/Vs, respectivamente, en el caso de una capa de óxido de Al de 8 nm de espesor.