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Los puntos cuánticos de GaN/AlN de Wurtzita (110) no polares para dispositivos optoelectrónicos altamente eficientes
En los puntos cuánticos de nitruro de III (QDs), la tasa de transición óptica es muy baja debido al gran campo electrostático incorporado causado por la polarización espontánea (SP) y los efectos piezoeléctricos (PZ). En este trabajo, estudiamos el potencial de pantalla que es una solución de la ecuación de Hartree autoconsistente teniendo en cuenta el campo electrostático incorporado y su efecto en las características de emisión de luz de los QD de GaN/AlN de wurtzita no polares (WZ). Se encontró que la intensidad de emisión de luz de la estructura de QD de GaN/AlN no polar se espera que sea aproximadamente cuatro veces mayor que la de la estructura de QD de GaN/AlN de plano c (0001) porque los elementos de matriz polarizados en la dirección - en el QD no polar son mayores que en el QD de plano c. Estas predicciones indican que la estructura de QD de GaN/AlN no polar tiene un gran potencial para dispositivos optoelectrónicos altamente eficientes.
Autores: Park, Seoung-Hwan; Ahn, Doyeol
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Disponible con Suscripción Virtualpro
Artículo científico
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 9
Citaciones: Sin citaciones
Este documento es un artículo elaborado por Seoung-Hwan Park y Doyeol Ahn para la revista Electronics, Vol. 9, Núm. 8. Publicación de MDPI. Contacto: electronics@mdpi.com
En los puntos cuánticos de nitruro de III (QDs), la tasa de transición óptica es muy baja debido al gran campo electrostático incorporado causado por la polarización espontánea (SP) y los efectos piezoeléctricos (PZ). En este trabajo, estudiamos el potencial de pantalla que es una solución de la ecuación de Hartree autoconsistente teniendo en cuenta el campo electrostático incorporado y su efecto en las características de emisión de luz de los QD de GaN/AlN de wurtzita no polares (WZ). Se encontró que la intensidad de emisión de luz de la estructura de QD de GaN/AlN no polar se espera que sea aproximadamente cuatro veces mayor que la de la estructura de QD de GaN/AlN de plano c (0001) porque los elementos de matriz polarizados en la dirección - en el QD no polar son mayores que en el QD de plano c. Estas predicciones indican que la estructura de QD de GaN/AlN no polar tiene un gran potencial para dispositivos optoelectrónicos altamente eficientes.
Descripción
En los puntos cuánticos de nitruro de III (QDs), la tasa de transición óptica es muy baja debido al gran campo electrostático incorporado causado por la polarización espontánea (SP) y los efectos piezoeléctricos (PZ). En este trabajo, estudiamos el potencial de pantalla que es una solución de la ecuación de Hartree autoconsistente teniendo en cuenta el campo electrostático incorporado y su efecto en las características de emisión de luz de los QD de GaN/AlN de wurtzita no polares (WZ). Se encontró que la intensidad de emisión de luz de la estructura de QD de GaN/AlN no polar se espera que sea aproximadamente cuatro veces mayor que la de la estructura de QD de GaN/AlN de plano c (0001) porque los elementos de matriz polarizados en la dirección - en el QD no polar son mayores que en el QD de plano c. Estas predicciones indican que la estructura de QD de GaN/AlN no polar tiene un gran potencial para dispositivos optoelectrónicos altamente eficientes.