Se han fabricado microestructuras periódicas en copolímeros de estireno-acrilonitrilo (SAN) mediante un patrón de interferencia láser directo de dos haces utilizando un láser pulsado de nanosegundos que opera a una longitud de onda de 266 nm. Los copolímeros SAN se sintetizan utilizando diferentes proporciones molares (estireno y acrilonitrilo) mediante un proceso de polimerización por radicales libres. La composición química de los copolímeros y sus propiedades se determinan mediante espectroscopia infrarroja transformada de Fourier (FTIR) y calorimetría diferencial de barrido (DSC). Dependiendo de la composición de las películas de copolímero irradiadas, con proporciones en peso que oscilan entre el 58 y el 96,5% de estireno y acrilonitrilo, se observan diferentes comportamientos de ablación. La fluencia láser necesaria para ablacionar localmente el copolímero depende de la composición del copolímero. A diferencia de otros polímeros dieléctricos, la irradiación láser produjo tanto la ablación directa del material irradiado como el colapso de la superficie. Se demuestra que, variando la fluencia láser y la composición del copolímero, la estructura de la superficie puede pasar de un patrón periódico con una topografía hinchada a una estructura similar a la ablación. El número de agujeros no depende monotónicamente de la cantidad de unidades de PS o PAN, sino que muestra un comportamiento más complejo que depende de la composición del copolímero y de la fluencia láser.