Un eficiente rectificador de doble interruptor CMOS para circuitos de aprovechamiento de energía piezoeléctrica
Autores: Ud Din, Amad; Kamran, Muhammad; Mahmood, Waqar; Aurangzeb, Khursheed; Saud Altamrah, Abdulaziz; Lee, Jong-Wook
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Acceso abierto
Artículo científico
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Licencia
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Consultas: 13
Citaciones: Sin citaciones
En este trabajo de investigación, investigamos un rectificador activo de doble interruptor (DS) para el sistema de recolección de energía piezoeléctrica (PE). En la configuración propuesta del rectificador activo DS, se añaden dos interruptores adicionales conectados en paralelo al transductor PE que ayudan al capacitor del transductor PE a cargar y descargar, lo que resulta en una extracción máxima de energía del transductor PE. Además, en la configuración propuesta del rectificador, se utilizan diodos activos controlados por comparadores en lugar de diodos convencionales/pasivos para minimizar la caída de voltaje de umbral. El diseño propuesto del rectificador activo DS se fabrica en un proceso CMOS estándar de 1 poli 6 metal de 180 nm. Los resultados de simulación y medición del diseño propuesto del rectificador activo DS tienen una mejor eficiencia de conversión de energía (PCE) del 91.5 %, lo que definitivamente ayuda a extraer más energía que el rectificador de puente completo convencional (FBR).
Descripción
En este trabajo de investigación, investigamos un rectificador activo de doble interruptor (DS) para el sistema de recolección de energía piezoeléctrica (PE). En la configuración propuesta del rectificador activo DS, se añaden dos interruptores adicionales conectados en paralelo al transductor PE que ayudan al capacitor del transductor PE a cargar y descargar, lo que resulta en una extracción máxima de energía del transductor PE. Además, en la configuración propuesta del rectificador, se utilizan diodos activos controlados por comparadores en lugar de diodos convencionales/pasivos para minimizar la caída de voltaje de umbral. El diseño propuesto del rectificador activo DS se fabrica en un proceso CMOS estándar de 1 poli 6 metal de 180 nm. Los resultados de simulación y medición del diseño propuesto del rectificador activo DS tienen una mejor eficiencia de conversión de energía (PCE) del 91.5 %, lo que definitivamente ayuda a extraer más energía que el rectificador de puente completo convencional (FBR).