Resistividad eléctrica de nanotubos de carbono de pared simple prístinos y funcionales

Se investigó la resistencia de varios nanotubos de carbono de pared simple (SWNT) prístinos y funcionales depositados y secados sobre chips de electrodos interdigitados (IDE) para comprender mejor cómo influyen los grupos funcionales en su resistividad. Sin el campo eléctrico externo, la resistencia aumentó en general para los SWNT sulfonados y fluorados, pero no para los COOH-SWNT. Con un campo eléctrico de 3 V aplicado durante el depósito, mientras que no se observó ningún cambio en la resistencia de los SWNTs prístinos purificados, los SWNTs fluorados, los SWNTs COOH y los Ni-SWNTs, se observó una disminución significativa de la resistencia en los SWNTs sulfonados y los SWNTs prístinos no purificados, lo que podría deberse a la alineación de los SWNTs en un campo eléctrico. La alineación de los SWNTs sulfonados se debe muy probablemente a la carga del grupo funcional sulfato. Es interesante observar que la alineación se encontró en los SWNTs prístinos sin purificar pero no en los prístinos purificados que tienen menor resistividad. La menor resistividad de los SWNT prístinos purificados puede deberse al menor número de impurezas (<5%). La importancia de esta investigación es que los COOH-SWNT hidrofílicos podrían ser mejores candidatos que los SWNT prístinos hidrofóbicos para su uso en muchas aplicaciones, especialmente en nanocompuestos poliméricos.

Autores: Yijiang, Lu; Jing, Li; Haiping, Hong