Este estudio se centra en el contraste de microscopía electrónica de barrido de electrones retrodispersados (BSE SEM) de muestras nanométricas complejas que consisten en nanopartículas (NPs) de SiO depositadas en sustratos de SiO a granel y carbono vítreo recubiertos con óxido de estaño e indio. Se estudia el contraste de las NPs de BSE SEM en función de la energía de los electrones primarios y la distancia de trabajo. Se observan inversiones de contraste que impiden una interpretación intuitiva del contraste de las NPs en términos de contraste de material. Los datos experimentales se comparan cuantitativamente con simulaciones de Monte Carlo (MC). Se obtiene un acuerdo cuantitativo entre los datos experimentales y las simulaciones de MC si se tienen en cuenta las características de transmisión del detector de semiconductor anular. Las simulaciones de MC facilitan la comprensión de las inversiones de contraste de las NPs y son útiles para derivar condiciones para un contraste óptimo de material y topografía