Las células solares basadas en cobre, indio, galio y selenio (CIGS) se han convertido en uno de los candidatos más prometedores entre las tecnologías de capa fina para la generación de energía solar. La eficiencia récord actual de las CIGS alcanza el 22,6%, comparable a la de las células solares de silicio cristalino (c-Si). Sin embargo, las propiedades del material y la eficiencia en dispositivos de pequeña superficie son aspectos cruciales que hay que tener en cuenta antes de fabricarlos a gran escala. El proceso de cada capa de las células solares CIGS, incluyendo el tipo de sustrato utilizado y las condiciones de deposición para el contacto posterior de molibdeno, tendrá un impacto directo en la eficiencia del dispositivo fabricado. En este artículo se hace una breve introducción a la producción, eficiencia, etc. de las células solares de capa fina de a-Si, CdTe y CIGS, así como de las células solares de c-Si. Se analiza la influencia de las distintas técnicas de deposición en las propiedades del contacto dorsal de molibdeno para CIGS. A continuación, se revisan los factores que influyen en la formación y el espesor de la capa interfacial de MoSe2; se especifica su papel en la formación del contacto óhmico, los posibles efectos perjudiciales y la caracterización de las capas de barrera. También se presentan los retos y problemas de escalado de la producción de módulos CIGS para dar una idea de cómo comercializar las células solares CIGS.