Este artículo investiga las matrices de memoria cruzada de memoria de acceso aleatorio resistiva (ReRAM), que es un desarrollo notable en la tecnología de memoria no volátil. Destacamos la ventaja competitiva de ReRAM sobre NAND, NOR Flash y memoria de cambio de fase (PCM), particularmente en términos de resistencia, velocidad y eficiencia energética. Este documento se centra en la arquitectura de las matrices cruzadas, donde los dispositivos memristivos están posicionados en cables metálicos que se intersectan. Enfatizamos los mecanismos únicos de conmutación resistiva de los memristores y los desafíos de las corrientes de caminos ocultos, y profundizamos en los roles y configuraciones de los selectores, enfocándonos particularmente en la arquitectura de un selector y un resistor (1S1R) con un selector basado en transición de aislante a metal (IMT). Utilizamos simulaciones SPICE basadas en modelos definidos para examinar una matriz ReRAM 1S1R de 3 x 3 con selectores de dióxido de vanadio y memristores de película de dióxido de titanio, evaluando el impacto de la temperatura ambiente y las temperaturas críticas de IMT en el rendimiento de la matriz. Destacamos las regiones operativas del estado resistivo bajo (LRS) y el estado resistivo alto (HRS), proporcionando información sobre el comportamiento eléctrico de estos componentes bajo diversas condiciones. Por último, demostramos el impacto de la presencia del selector en las corrientes de caminos ocultos. Esta investigación contribuye a la comprensión general de las matrices ReRAM cruzadas integradas con selectores basados en materiales IMT.