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Un chip de múltiples funciones de dos canales GaAs de 7,5 a 9 GHz
Basado en el proceso de Transistor de Movilidad Electrónica de Alta Electrones Pseudomórfico (pHEMT) de mejora/depleción (E/D) de 0.5 m GaAs, se desarrolló con éxito un chip multifunción (MFC) de control de fase de amplitud de dos canales de 7.5-9 GHz.
Autores: Zhou, Shancheng; Zhou, Shouli; Zhang, Jingle; Wu, Jianmin; Yang, Haiqing; Wang, Zhiyu
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2019
Disponible con Suscripción Virtualpro
Artículos
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Licencia
Atribución – Compartir igual
Consultas: 6
Citaciones: Sin citaciones
Este documento es un artículo elaborado por Shancheng Zhou, Shouli Zhou, Jingle Zhang, Jianmin Wu, Haiqing Yang y Zhiyu Wang para la revista Electronics, Vol. 8, Núm. 4. Publicación de MDPI. Contacto: electronics@mdpi.com
Basado en el proceso de Transistor de Movilidad Electrónica de Alta Electrones Pseudomórfico (pHEMT) de mejora/depleción (E/D) de 0.5 m GaAs, se desarrolló con éxito un chip multifunción (MFC) de control de fase de amplitud de dos canales de 7.5-9 GHz.
Descripción
Basado en el proceso de Transistor de Movilidad Electrónica de Alta Electrones Pseudomórfico (pHEMT) de mejora/depleción (E/D) de 0.5 m GaAs, se desarrolló con éxito un chip multifunción (MFC) de control de fase de amplitud de dos canales de 7.5-9 GHz.