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Un modelo analítico de MOSFET de puerta completa para la simulación de circuitos

Se desarrolla un modelo genérico compacto basado en la carga para MOSFETs de puerta cuádruple (QG) y de puerta cilíndrica no dopados (ligeramente dopados) utilizando Verilog-A. Este modelo se basa en la solución exacta de la ecuación de Poisson con longitud de escala. Las corrientes fundamentales de CC y de carga de los MOSFETs QG se calculan física y analíticamente. Además, como el modelado de Verilog-A es portátil para diferentes simuladores de circuitos, el esquema de modelado proporciona una herramienta útil para los diseñadores de circuitos.

Autores: Kuan-Chou, Lin; Wei-Wen, Ding; Meng-Hsueh, Chiang

Idioma: Inglés

Editor: Hindawi Publishing Corporation

Año: 2015

Disponible con Suscripción Virtualpro

Artículos


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 4

Citaciones: Sin citaciones


Hindawi

Advances in Materials Science and Engineering

Volume 2015, Article ID 320320, 5 pages

https://doi.org/10.1155/2015/320320

Kuan-Chou Lin 1, Wei-Wen Ding 2, Meng-Hsueh Chiang 1

1 , Taiwan

2 , Taiwan

Academic Editor: Satoshi Horikoshi

Contact: amse@hindawi.com

Descripción
Se desarrolla un modelo genérico compacto basado en la carga para MOSFETs de puerta cuádruple (QG) y de puerta cilíndrica no dopados (ligeramente dopados) utilizando Verilog-A. Este modelo se basa en la solución exacta de la ecuación de Poisson con longitud de escala. Las corrientes fundamentales de CC y de carga de los MOSFETs QG se calculan física y analíticamente. Además, como el modelado de Verilog-A es portátil para diferentes simuladores de circuitos, el esquema de modelado proporciona una herramienta útil para los diseñadores de circuitos.

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