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Un modelo analítico de MOSFET de puerta completa para la simulación de circuitos
Se desarrolla un modelo genérico compacto basado en la carga para MOSFETs de puerta cuádruple (QG) y de puerta cilíndrica no dopados (ligeramente dopados) utilizando Verilog-A. Este modelo se basa en la solución exacta de la ecuación de Poisson con longitud de escala. Las corrientes fundamentales de CC y de carga de los MOSFETs QG se calculan física y analíticamente. Además, como el modelado de Verilog-A es portátil para diferentes simuladores de circuitos, el esquema de modelado proporciona una herramienta útil para los diseñadores de circuitos.
Autores: Kuan-Chou, Lin; Wei-Wen, Ding; Meng-Hsueh, Chiang
Idioma: Inglés
Editor: Hindawi Publishing Corporation
Año: 2015
Disponible con Suscripción Virtualpro
Categoría
Licencia
Consultas: 4
Citaciones: Sin citaciones
Hindawi
Advances in Materials Science and Engineering
Volume 2015, Article ID 320320, 5 pages
https://doi.org/10.1155/2015/320320
Kuan-Chou Lin 1, Wei-Wen Ding 2, Meng-Hsueh Chiang 1
1 , Taiwan
2 , Taiwan
Academic Editor: Satoshi Horikoshi
Contact: amse@hindawi.com