Un rectificador activo CMOS con técnica de dominio temporal para mejorar el PCE
Autores: Kao, Shao-Ku
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 13
Citaciones: Sin citaciones
Este documento presenta un rectificador activo CMOS con una técnica en dominio temporal para mejorar la eficiencia energética. Se diseñó un circuito de compensación de retardo utilizando una técnica en dominio temporal. Convierte el tiempo de retardo del búfer de retardo en un valor de voltaje. El voltaje puede controlar el tiempo de encendido/apagado en el comparador para un voltaje de entrada variable. Este circuito está diseñado en un proceso CMOS de 0.18 um. El rango de voltaje de entrada es de 2 V a 3.8 V con un voltaje de salida de 1.8 V a 3.6 V. La eficiencia se puede mantener en más del 83% cuando la carga va desde 100 Ohm a 1300 Ohm para un voltaje de entrada de 3.3 V. La eficiencia máxima es del 90.3% con una potencia de salida de 109 mW para un voltaje de entrada de 3.3 V.
Descripción
Este documento presenta un rectificador activo CMOS con una técnica en dominio temporal para mejorar la eficiencia energética. Se diseñó un circuito de compensación de retardo utilizando una técnica en dominio temporal. Convierte el tiempo de retardo del búfer de retardo en un valor de voltaje. El voltaje puede controlar el tiempo de encendido/apagado en el comparador para un voltaje de entrada variable. Este circuito está diseñado en un proceso CMOS de 0.18 um. El rango de voltaje de entrada es de 2 V a 3.8 V con un voltaje de salida de 1.8 V a 3.6 V. La eficiencia se puede mantener en más del 83% cuando la carga va desde 100 Ohm a 1300 Ohm para un voltaje de entrada de 3.3 V. La eficiencia máxima es del 90.3% con una potencia de salida de 109 mW para un voltaje de entrada de 3.3 V.